瞬态好LDO 上海明达微电子
作为电气系统中的基本部件,工程师如何根据参数做出正确选择呢?
1)沟道的选择。为设计选择正确器件的一步是决定采用N沟道还是P沟道场效应管。在典型的功率应用中,当一个场效应管接地,而负载连接到干线电压上时,该场效应管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道场效应管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当场效应管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道场效应管,这也是出于对电压驱动的考虑。
人工智能的伙伴?用光做运算的芯片
传统芯片跟光学芯片虽然想达成的目标类似,都是运算、通讯、储存等,但两者的基本架构不同,一般芯片为运用一连串可以决定电流要不要通过的电晶体,来达成运算。光学芯片则是依靠入射光线的明暗来达成运算,每个“光路”由放大器(Optical Amplifier)、相位调变器(Phase modulator)及偏振转换器(Polarization converter)构成,一旦光线产生后,要达成怎样的运算只要运用镜片就可以改变方向,过程不损耗能源,不像电晶体需要电力来运作。
本公司的前身是上海明达电器技术研究所。创建于1996年,于2004年4月改名为上海明达微电子有限公司,已有十多年历史。员工中百分之七十以上具有技术职称,是国家认定的集成电路设计企业。
近年来,随着汽车、通信、能源、消费、绿色工业等大量应用场效应管产品的行业在近几年来得到了快速的发展,瞬态好LDO,功率场效应管更是备受关注。据预测,2010-2015年中国功率MOSFET市场的总体复合年度增长率将达到13.7%。 虽然市场研究公司 iSuppli 表示由于宏观的投资和经济政策和日本带来的晶圆与原材料供应问题,今年的功率场效应管市场会放缓,但消费电子和数据处理的需求依然旺盛,因此长期来看,功率场效应管的增长还是会持续一段相当长的时间。
瞬态好LDO-上海明达微电子(图)由上海明达微电子有限公司提供。行路致远,砥砺前行。上海明达微电子有限公司(www.md-ic.com.cn)致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴,更矢志成为电子、电工项目合作较具影响力的企业,与您一起飞跃,共同成功!
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